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2017年英飞凌高校活动日暨英飞凌-南航技术研讨会成功举办
文/陈新    访问量:257   发布时间:2017-09-13


2017年9月12日下午,由英飞凌科技(中国)有限公司和南京航空航天大学共同主办的英飞凌高校活动日暨英飞凌-南航技术研讨会在南航自动化学院成功举办。英飞凌大学计划部经理周皓、电源管理与多元化电子事业部经理钱家法、工业功率控制事业部经理郝欣、电源管理与多元化电子事业部高级工程师李和明等莅临现场出席了本次活动。自动化学院副院长阮新波,电气工程系主任陈新和副主任曹瑞武,以及电气工程系王慧贞研究员、龚春英教授、邢岩教授、肖岚教授、陈乾宏教授、秦海鸿副教授、许津铭博士等多位教师代表参加了此次研讨会活动。研讨会由电气工程系陈新教授主持。


本次英飞凌-南航技术研讨会针对功率器件新产品的前沿技术及其在电力电子与电力传动领域的应用设置了四个专题报告:南航电气工程系阮新波教授首先进行了“与多电飞机电源系统相关的若干研究进展”的专题报告,阮新波教授结合多电飞机电源系统等应用的级联系统稳定性、二次谐波抑制、储能电容优化和宽禁带高频器件应用等关键技术做了精彩报告,并介绍了课题组自适应阻抗适配器、高频高功率密度功率变换器等创新科研成果;随后,英飞凌公司电源管理与多元化电子事业部高级工程师李和明做了“Building the bridge from new technology to new applications”专题报告,系统介绍了SuperJunction、SiC和GaN等不同MOS器件的半导体的机理与特点,给出了不同典型功率拓扑的器件优选推荐,并结合PFC等应用设计对比讨论了GaN MOSFET新器件所带来产品设计优势;此后,南航电气工程系秦海鸿副教授做了“碳化硅电力电子器件在电动汽车中的应用与挑战”专题报告,从电动汽车应用出发,对比了Si基和SiC器件对电机驱动器性能的影响,并针对SiC器件给电机驱动器带来桥臂串扰、EMI、寄生参数影响等新问题进行了深入分析,从封装、驱动、控制方法等方面展望了SiC 器件在未来电动汽车应用中的挑战;最后,英飞凌公司工业功率控制事业部经理郝欣博士做了“英飞凌功率器件和宽禁带半导体的拓扑与应用”专题报告,分析了Si基和SiC IGBT不同器件的结构特点与应用特征,结合T3拓扑等典型应用电路对比分析了基于SiC器件应用设计所带来的功率密度、电气性能等技术优势,并介绍了英飞凌公司在电力电子与电力传动专业领域的模块化专业教学应用套件产品。


在本次研讨会上,双方还针对目前半导体器件的发展趋势和新技术带来的挑战、高频新器件的应用领域、器件失效机理分析等关键技术问题进行了广泛交流和深层次探讨,此次研讨会最终取得圆满成功。


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